5超の技術

超平滑化技術

SiCウエーハの平滑化

SiCウエーハの平滑化地球温暖化を防止する為に、消費電力が抑えられるグリーンデバイスとして注目されているSiCは、ダイヤモンドに次ぐ硬さで、研磨加工に長い時間を要する素材の1つです。 
最適化された研磨技術により、nmオーダーの平滑化が実現しています。 
写真にケミカル-メカニカルポリシングにより研磨されたSiCウエーハを示します。

化合物エピウエーハの平滑化

基板ウエーハ表面にエピタキシャル成長された表面は微細な凹凸が発生することが多く、特に液層成長されたエピウエーハでは、エピ層の厚みバラツキが数十μmに及ぶこともあります。
この表面状態を改善することにより、製品特性が改善されます。 
 
表面除去量1μm以下より対応可能です。
化合物エピタキシャルウエーハの中でも、特にGaP、GaAs系のウエーハで多くの加工実績があります。
エピ層の状態、ご希望されるできばえにより除去量、加工方法についてはご相談下さい。

図1:研磨除去量を最小限に抑え、エピ層の厚み形状を残したまま表面の微細な凹凸のみを除去し、エピ層表面を滑らかに研磨することが可能です。
図2:エピ層表面に対して裏面を基準に一定の厚みに揃えることで、エピ層表面をSUBウエーハ表面のように平らに仕上げることが可能です。(エピ層の最も薄い部分に厚みを揃え、平らにします。)
図3:エピ層表面を平らに研磨加工した後、裏面の基板ウエーハを全て除去し、エピ層のみを残す加工が可能です。

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