5超の技術
超平坦化技術
シリコンウエーハの平坦化
MEMS用Si基板若しくはSOI用支持基盤は、小口径（6"φ以下）でもより良い平坦化が必要としています。
当社の研磨技術を用いれば、小口径でも高精度な平坦度を確保できます。
酸化物ウエーハの平坦化
ウエーハの形状精度にはその凹凸周期に応じて、フラットネス、マイクロラフネスなどがあり、それぞれのレベルでお客様の御要望があります。当社では両面ラップ機や両面研磨機を使用し、高い平坦性を実現しております。
一方、所望のデバイス特性を得るべく、意図的に裏面を粗加工したウエーハの御要求もあります。表面は鏡面、裏面は粗面とするため、表裏で面粗さが異なることになり、結果として大きなソリが発生してしまいます。
当社では、ラップ、研磨、ウエットエッチング技術などの最適化によって、ソリを抑制または矯正し、お客様のニーズにあった加工を実施しております。
SiC ウエーハの平坦化
製品を小型化する為には、集積度を上げる必要があり、平坦化技術が必要になります。
写真に最適化された研磨技術により作り込まれた平坦度を示します。
SOIウエーハの厚さ制御
通常のSUBウエーハで要求される厚み公差は、標準品では±15μm程度のものであるため、厚み制御技術としてもミクロン単位の制御で十分でした
しかし最近注目されているSOIウエーハなどでは、特に活性層面の加工に要求される精度として、サブミクロンの加工精度が要求されるようになっています。
中間工程でのサブミクロンの測定を実現するため、温度変化の影響を受けにくい測定ゲージを独自開発いたしました。それにより研磨作業工程での中間チェックでも、サブミクロン精度の測定・確認が可能となり、全厚・平行を補正する追加研磨を実施することが可能となりました。
また、通常使用する研磨剤では1μm以下の除去制御が難しいため、研磨剤もサブミクロン制御用に独自に開発したものを使用いたします。
量産レベルで厚み公差±1～2μm（4φ"まで）、±2～3μm（6φ"）の全面保証が可能です。
